本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器 设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。

本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。

将基本上不含所测杂质并与未知试样具有基本相同厚度和同样表面质量基体材料的晶片，放入光谱仪参照光路中，消除由于迭加以及反射、散射损失以及晶格吸收产生干扰的一种测量方法。

当无迭加带干扰被测定杂质的吸收带时，光谱仪参照光路中使用空气的一种参比方法。

a.氟化钡(BaF2)适用于0.13〜12μm波长范围，不溶于水，但对机械及热的冲击反 应灵敏；

b.氟化钙（CaF2)适用于0.18〜10μm波长范围，不溶于水，耐酸、机械强度高；

c. 碘化铯（CsI)适用于0.24〜55 μm波长范围，适用波长范围宽，溶解于水及乙 醇，质地软，极易吸潮、且价格昂贵；

d.溴化钾（KBr)适用于0.25〜30μm波长范围，溶解于水，稍溶于乙醇、机械强 度好，成本低且易抛光，是最通用的窗口材料；

e.氯化钠（NaCl)适用于0.25〜15μm波长范围，溶解于水，微溶于乙醇、机械强度高；氯化钾（KCl)适用于0.21〜30μm波长范围，类似于NaCl,但溶解度较小，有较宽的透射范围。

测试报告应包括如下内容：

a.试样来源及编号；

b.所用测量方法；

c.所用测量仪器及选用参数；

d.操作者及测量单位；

e.杂质含量;

f.测量曰期。